副所長／弁理士・博士（工学）　片山 健一

プロフィール片山副所長弁理士は、東北大学理学研究科で物理学を専攻した後に昭和電工株式会社に入社し、約16年間の電子材料に関する研究・開発の経験があります。その間には、通産省電子技術総合研究所および米国ノースカロライナ州立大学工学部物質工学科において客員研究員としての研究も行い、1993年7月に大阪大学より博士（工学）の学位が授与されました。

2000年の弁理士登録後は、都内特許事務所および法律事務所に在籍し、国内外の特許出願業務はもとより、審判・訴訟系の案件を数多く手掛けてきました。

専門とする専門分野は、半導体デバイス／表示装置／光電子工学／光学／磁気記録技術／セラミックス／物質工学／分析評価技術等、多岐にわたります。

日本弁理士会では国際活動センタに所属し、2014年にはEPOで開催された"Symposium on the topic of the practice around Art. 123(2) EPC"に日本弁理士会代表として出席し、2015年には日本弁理士会欧州訪問団のリーダーを務めました。また、筑波大学大学院ビジネス科学研究科企業法学専攻コースでの競争法についての研究経験もあります（博士課程単位取得退学）。

片山弁理士は、IAM Patent 1000 - The World's Leading Patent Practitionersにおいて、毎年、個人・prosecution部門にて高い評価を受けてきています。

2019年に坂本国際特許事務所の副所長に就任しました。日本語、英語での対応が可能です。

主な業務知的財産に関する業務
特許に関する権利化業務、調査、審判、係争・訴訟

専門分野化学・電気（電子工学、半導体デバイス、表示装置、光電子工学、光回路、光学、磁気記録技術、セラミックス、物質工学、分析評価技術等）

学歴東京理科大学理学部物理学科卒業
東北大学理学研究科博士課程前期物理学専攻修了
筑波大学大学院ビジネス科学研究科企業法学専攻（博士課程単位取得退学）

経歴昭和電工株式会社
ＴＭＩ総合法律事務所
谷・阿部特許事務所
大野総合法律事務所

所属団体日本弁理士会

外部活動

2002年度	日本弁理士会国際活動委員会 委員
2003～2004年度	日本弁理士会研修所 運営委員
2008年度	産業競争力推進委員会 委員
2012年度～現在	日本弁理士会国際活動センター センター員
2013年度	JPAA IP Practitioners Seminar in Bangkok, Thailand 講師
2013年度	日本弁理士会欧州訪問団メンバー
2014年	"Symposium on the topic of the practice around Art. 123(2) EPC"日本弁理士会代表
2015年度	JPAA IP Practitioners Seminar in Jakarta, Indonesia 講師
2015年度	日本弁理士会欧州訪問団リーダー
2017年度	JPAA IP Practitioners Seminar in Hanoi, Vietnam 講師

主たる論文／講演◆K. Katayama
"Characterization of Oxygen Precipitates in CZ-Silicon Crystals by Light-Scattering Tomography"
Jpn. J. Appl. Phys. 29 (1990) L198

◆K. Katayama, Y. Kirino and F. Shimura
"Non-contact Characterization for Energy Level Related to Silicon Wafer Surface" in "Defects in Silicon II"
(Eds. W. M. Bullis, U. Goesele and F. Shimura, The Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1991) pp.89

◆K. Katayama and F. Shimura
"LM-DLTS Measurements for CZ Silicon Wafers with Different [Oi], [Cs] and Thermal History"
in "Defects in Silicon II"(Eds. W. M. Bullis, U. Goesele and F. Shimura, The Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1991) pp.97

◆K. Katayama, Y. Kirino and F. Shimura
"Effects of Ultraviolet Light Irradiation on Non-contact Microwave Lifetime Measurement"
Jpn. J. Appl. Phys. 30B (1991) L1907

◆J. Partanen, T. Tuomi and K. Katayama
"Comparison of Defect Images and Density Between Synchrotron Section Topography and
Infrared Light Scattering Microscopy in Heat Treated Czochralski Silicon Crystals"
J. Electrochem. Soc. 139 (1992) 599

◆K. Katayama and F. Shimura
"Non-contact Defect Characterization for CZ Silicon Crystals with FT-IR, LM-Lifetime, LM-DLTS and Light Scattering Tomography"
in "Diagnostic Techniques for Semiconductor Materials and Devices" (Eds. J. Benton, G. Maracas and P. Rai-Choudhury, The Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1992) pp.184

◆K. Katayama and F. Shimura
"Non-contact Characterization for Ultraviolet Light Irradiation Effect on Si-SiO2 Interface"
Jpn. J. Appl. Phys. 8A (1992) L1001

◆A. Buczkowski, K. Katayama, G. A. Rozgonyi and F. Shimura
"Non-contact Mobility Measurement with a Laser/Microwave Photoconductance Technique: Temperature Dependence"
Appl. Phys. Lett. 60 (1992) 1229

◆L. Zhong, A. Buczkowski, K. Katayama and F. Shimura
"Transient Recovery of Minority-Carrier Lifetime in Silicon After Ultraviolet Irradiation"
Appl. Phys. Lett. 61 (1992) 931

◆K. Katayama and F. Shimura
"Noncontact Characterization for Ultraviolet Light Irradiation on Si-SiO2 Interface"
in "Defects Engineering in Semiconductor Growth, Processing and Device Technology"
(Eds. S. Ashok, J. Chevallier, K. Sumino and E. Weber, Materials Research Society, Pittsburgh, 1992)

◆K. Katayama, A. Agawal, Z. J. Radzimski and F. Shimura
"Investigation on Defects in CZ Silicon with High-Sensitive Laser/Microwave Photoconductance Technique"
Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) 298

◆K. Katayama and F. Shimura
"Noncontact Characterization for Carrier Recombination Center Related to Si-SiO2 Interface"
Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) L395

言語日本語、英語

趣味等ゴルフ